据了解，三星的2nm工艺道路涵盖了多个技能节点，首推SF2，随后将顺次推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A。第一代 2nm工艺 SF2 将于 2025 年开端，升级版 SF2P 将于 2026 年准备就绪。

  第四代SF2Z 工艺节点将于 2027 年投入量产，将运用先进的反面供电网络（BSPDN）技能，以提高能效并下降温度。

  此外，新的 SF4U 工艺被称为高价值 4 nm变体，使用 “光学缩短 ”技能提高了功率、功能和面积，方案于 2025 年完成量产。

  三星晶圆代工事务总裁 Choi Si-young 表明，在盘绕AI的很多技能继续不断的开展的今日，高功能、低功耗半导体至关重要。他说到，三星方案引进集成化、共封装光学技能，以完成高速、低功耗数据处理。

  三星还指出，其全盘绕栅极（GAA）晶体管架构在功能和良率方面正日趋老练。1.4 nm工艺（SF1.4）的准备工作 “发展顺畅，功能和良率方针均已按期完成”，并弥补说，公司正在通过资料和结构立异 “活跃刻画 ”未来低于 1.4 nm的工艺技能。

  别的，一份来自职业研究机构TrendForce 的多个方面数据显现，第一季度三星在代工商场的比例同比相等，为 11%，而竞赛目标台积电（TSMC）则占有了 61.7%。

  本年 2 月，三星获得了日本草创公司 Preferred Networks 的 2nm AI芯片出产合同。而在上个月，为在高带宽内存芯片范畴赶超竞赛对手SK海力士，三星更换了半导体事务主管。

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