在每个开关周期里，存储在寄生电感器中的能量将和存储于寄生电容器中的能量发生共振。当能量开释时将在开关节点(VSW)上发生一个很大的电压尖峰，其最大可达输入电压的两倍，如图1所示。当MOSFET的电流才能添加时，存储在寄生电容器中的能量往往也会添加。别的，开关动作还使输入电流以及流过顶端MOSFET(ITOP)和底端MOSFET(IBOT)的电流发生脉动。此脉冲电流将在输入电源电缆和PCB板印制线(其充当了发射天线)上发生电波，由此发生辐射发射和传导发射。

  当输人电压和输出电流添加时，每个周期中功率电感器改动极性时开关节点上的电压尖峰也将增大。并且，输出电流越高，电路回路内部发生的脉冲电流越大。因而，辐射发射在很大程度上取决于被测验器材所在的电气操作条件。一般来说，辐射噪声将跟着输人电压和输出功率(特别是输出电流)的进步而添加。因为作为低噪声代替计划的线性稳压器功率过低，并且在高电压和高功率级别下耗散过多的热量，因而规划工程师不得不战胜因选用最先进的开关电源解决计划而引发的难题，其间的EMI按捺变得较为扎手。

  由此可见，从辐射源的视点来说EMI存在每个开关周期傍边。想要完全对其进行按捺仍是比较扎手的问题，所以对EMI进行按捺的论题不能单单从一个方面来下手，而是需求多方面的合作。期望咱们我们在阅读过本文之后可以有所收成。