据报道，大阪公立大学（Osaka Metropolitan University）研讨小组使用地球上导热性最高的天然资料——金刚石为衬底，制造出了氮化镓（GaN）晶体管，其散热才能比传统晶体管进步了2倍以上。

  据悉，该晶体管不光可以用于5G通讯基站、气候雷达、卫星通讯等范畴，还可以适用于微波加热、等离子体处理等范畴。最新研讨成果已于近期宣布在了“Small”杂志上。

  跟着半导体器材的日益小型化，呈现了比如功率密度和热量发生的增加等问题，这样一些问题会影响这一些器材的功能、可靠性和寿数。

  据了解，金刚石上的氮化镓（GaN）显示出作为下一代半导体资料的远景，由于这两种资料的带隙都很宽，可完成高导电性和金刚石的高导热性，将其定位为杰出的散热基板。

  此前，科学家们现已测验经过将两种成分与某种方式的过渡层或粘附层结合来创立金刚石上的GaN结构，但在这两种情况下，附加层都显着搅扰了金刚石的导热性，破坏了GaN金刚石的一个要害优势组合。

  在最新研讨中，大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬造了GaN高电子迁移率晶体管。这种新技能的散热功能是在碳化硅（SiC）衬底上制造的相同形状晶体管的两倍以上。

  为了最大极限地进步金刚石的高导热性，研讨人员在GaN和金刚石之间集成了一层3C-SiC（立方碳化硅）层。该技能显着降低了界面的热阻，进步了散热功能。

  研讨人员说，“这项新技能有或许大幅度削减二氧化碳排放，并有或许经过改进热管理才能，彻底改变电力和射频电子科技类产品的开展。”

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