EMC之静电整改
发布时间: 2024-11-27 作者: EMI屏蔽吸收材料

  时,打充电输入端子的触摸±4KV呈现体系复位,乃至概率性卡死,长期不能康复。充电端子在bottom层,板子为四层一阶。

  通过对PCB的研讨发现,在充电弹片和正极充电途径下方的相邻层信号线过多,没有完好的地来开释静电,并有高速的flash信号通过。当静电打进来时,静电瞬间搅扰到信号走线,静电管还来不及开释静电,导致体系反常。

  (1)在充电输入正极弹片就近并联一个静电管,让静电打正极触摸弹片±6KV能够第一时间把静电从静电管处开释掉。

  (2)正极弹片悬空起来(意图为了验证弹片地点的bottom层是否会影响到弹片下方相邻层的信号线),然后从充电输入正极弹片飞一根线到充电IC输入端电容处,电容之前的途径断开(保证充电通路正常),意图是为了尽最大或许防止原PCB上的充电途径走线有静电流过搅扰到相邻的信号走线。通过这样的试验触摸的±6KV稳过无反常通过。比照不处理±3KV都不可。

  整改思路:优化PCB布局走线(把静电途径下方信号走线移走),缩短充电回路(意图是缩短静电通过的途径),充电回路下面净空不走线,静电通过的途径邻层有完好的地。静电开释的径路是通过第三层的地进入到第二层主地层。

  静电是具有辐射搅扰的,在PCB布局走线时尽或许是把静电管接近静电进来的方位,一起要就近打孔,让静电快速进入主地层,防止搅扰到其他灵敏器材或走线。静电通过的途径相邻层尽或许有完好的地,防止有灵敏信号通过。